STM-STR-280-15/7-

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单控制绕组型电抗器：

单控制绕组型只有一个控制绕组 (单相)，考虑谐波抑制目的，增加一个*三绕组。 随着晶闸管触发角的变化，STM-STR-300-15/14，电抗器的功率也随之变化， 由于晶闸管的不完全导通 ， 将向CRT 注入谐波。 W3 为谐波抑制绕组，多个 LC 滤波器与其并联， 用来抑制电抗器运行中产生的 3、5、7等各次谐波， 每个 LC 支路对相应次数的谐波产生谐振， 呈现很低的纯电阻性阻抗。 如果将 W3 置于W1 与 W2 之间时，将获得很小，甚至为零的等效电抗，这时谐波电流将不会流入 W1，达到谐波抑制效果。 这种 CRT 的工作绕组与控制绕组间短路阻抗达到 **， 它的谐波补偿绕组连接 LC 滤波器，连结成三相三角形。 谐波含量低至 2%～3%。 在印度输电系统中投入使用的 CRT 就是这种结构形式。STM-STR

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电抗器的有关信息：STM-STR

变频器输入侧功率因数偏低的原因，与工频电动机的运行功率因数低有着重要的区别。由于电动机是感性负载，运行电流的相位滞后于电压，功率因数的高低取决于电流与电压之间的相位关系。而变频器功率因数低是由其电路结构造成的。变频器通常是“交一直一交”式结构，即三相交流电源经三相整流桥和滤波电容器变为直流，再经控制电路和逆变管转换为频率可调的交流电。在整流过程中，只有当交流电源的瞬时值大于直流电压 UD 时，整流二极管才会导通，整流桥中才有充电电流，显然，充电电流总是出现在电源峰值附近的有**间内，呈不连续的脉冲波形。STM-STR

这种非正弦波具有很强的高次谐波成分。高次谐波的瞬时功率一部分为“ + ”，另一部分为“一”，属于无功功率。这种无功功率使得变频调速系统的功率因数较低，约为 O . 7 ～ 0 . 75。STM-STR

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多控制绕组电抗器:

针 对 BBC 的 CRT 存 在 的 谐 波 较 大 的 主 要 缺点，俄罗斯* G. N. Aleksandrov 在深入研究后，提出了多控制绕组 CRT 的基本原理。 CRT 实质上相当于高短路阻抗的多绕组变压器。 W1 为高压工作绕组，W21、W22、……、W2n 为低压控制绕组，各个控制绕组中串接反并联晶闸管， 每个 CW 的额定功率是电抗器总额定功率的一部分， 主要根据电网谐波要求而定。 STM-STR

当* i 个控制绕组投入工作时，1、2、…、i-1 个控制绕组均工作于短路状态， * i+1、i+2、…、n 个控制绕组均工作于开路状态，可以认为其中没有谐波电流存在，这样，工作绕组中的电流谐波只由* i 个控制绕组的晶闸管的导通程度决定，因此，当依次把控制绕组投入工作并正确控制晶闸管的导通和关断时，CRT 的功率就可从空载功率到额定功率连续自动变化，而且满足谐波的要求，必要时控制绕组还要串入限流电抗器。这样，CRT 不仅继承了单控制绕组型 CRT 响应速度快的特点，而且具有通过设计控制绕组个数和容量，达到减小谐波的优点。STM-STR